[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [7p-A202-15] 電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体La_2-xCe_xCuO₄における電界誘起絶縁体超伝導転移

〇(M2)松岡 秀樹¹、中野 匡規¹、打田 正輝¹、川﨑 雅司^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：銅酸化物、超伝導、電解質ゲート

電解質ゲートデバイスは電界効果トランジスタにおける絶縁層を電解質で置き換えたものであり、大量のキャリア（~ 10¹⁴ cm^-2）をゲート電圧（V_G）で制御可能である。今回、電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体の一種であるLa_2-xCe_xCuO₄の高品質エピタキシャル薄膜の作製に成功し、電解質ゲート法による電界誘起絶縁体超伝導転移を実現したので、その詳細について報告する。