2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:15 A202 (202)

矢嶋 赳彬(東大)、菅 大介(京大)

15:30 〜 15:45

[7p-A202-9] LaOエピタキシャル薄膜の超伝導

〇(DC)神永 健一1,2、岡 大地2、福村 知昭2,3,4、長谷川 哲也1 (1.東大院理、2.東北大院理、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大スピントロニクス教育センター)

キーワード:超伝導、パルスレーザ堆積法、希土類単酸化物

岩塩構造LaOはこれまで高温超伝導体(La,Sr)2CuO4に代表される層状構造に内包される絶縁性ブロック層として存在してきた。一方、LaOの単相は、バルク多結晶体試料が1980年に合成されて以降、報告例がなく詳細な物性はわかっていない。今回、我々はパルスレーザ堆積法により高品質なLaOエピタキシャル薄膜の合成に成功し、最高約4.5 Kの転移温度を示す超伝導性を発現することを発見したので報告する。