[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

△ [7p-A204-10] ナノ結晶ZrO₂シード層を用いた厚膜Hf_xZr_1-xO₂の強誘電性

〇(M2)女屋 崇^1,2、生田目 俊秀^2,3、澤本 直美¹、栗島 一徳^1,2、大井 暁彦²、池田 直樹²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA、3.科学技術振興機構 CREST)

キーワード：強誘電体HfxZr1-xO2膜、ZrO2シード層、原子層堆積法

強誘電体Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)膜は、膜厚の増加に伴って強誘電相である直方晶相の形成が抑制されて強誘電性が急激に低下することが報告されている。前回、我々は、原子層堆積法で作製した直方晶相のナノ結晶ZrO₂膜をシード層として用いることで、ZrO₂粒を基にHZOの直方晶相が成長し、その結果、強誘電性を向上できることを報告した。本研究では、ナノ結晶ZrO₂によるHZOの結晶成長と強誘電性の関係を調べた結果を報告する。