[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-12] 負性容量トランジスタのデバイスシミュレーションにおける一次元近似の妥当性

〇服部 淳一¹、福田 浩一¹、池上 努¹、太田 裕之¹、右田 真司¹、浅井 栄大¹ (1.産総研)

キーワード：負性容量、強誘電体、TCAD