[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [7p-C17-3] ハライド気相成長法による(0001)サファイア基板上準安定相α-Ga₂O₃成長の検討

〇下川 道貴¹、佐和田 陽平¹、小西 敬太¹、村上 尚^1,2、Bo Monemar³、熊谷 義直^1,2 (1.東京農工大院工、2.東京農工大GIR、3.リンチョーピン大)

キーワード：準安定相α-Ga2O3、ハライド気相成長法

酸化ガリウムとこれに関連したIII族セスキ酸化物半導体結晶群は、パワーデバイスや深紫外受光素子等の新規材料として非常に魅力的な結晶であり、近年注目を集めている。III族セスキ酸化物でバンドギャップ変調を行うためには、混晶化が必須である。そこで我々は、準安定相混晶α-(Al_xGa_yIn_1-x-y)₂O₃の成長方法の確立を目指し、その要素となるHVPE法によるα-Ga₂O₃成長を成長温度に着目して試みたので、報告する。