[7p-PA2-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

[7p-PA2-4] シリコン導波路における光反射の解析

〇臼杵 達哉¹、蘇武 洋平¹、鄭 錫煥¹、堀川 剛¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコン導波路、光散乱、数値解析

シリコン導波路側面ラフネスに因る散乱損失と反射量との関係について，前回，理論的に議論した。今回，過去の計測データに加え，断面形状は同じだが損失が異なる2種類の導波路の反射量を新たに計測し，単位長さ当りの反射量と単位長さ当りの損失との比率を見積もった。数値解析で予想した様にTEモードの反射量と損失の比率は10%から40%と大きい事が明らかになった。