[7p-PA9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[7p-PA9-1] サーファクタント効果を利用したMOCVD成長GeSn薄膜のHAXPES評価

〇臼田 宏治¹、吉木 昌彦¹、須田 耕平²、小椋 厚志²、富田 充裕¹ (1.東芝研開センター、2.明治大学)

キーワード：GeSn、放射光、硬X線光電子分光法

Sb添加によるサーファクタント効果を利用したMOCVD成長GeSn薄膜の膜質評価をHAXPESなどを用いて実施した。結果、サーファクタント効果による表面偏析の抑制と膜中Sn組成の均一化が確認され、従来より約２倍のSn組成を有する良質なGeSn薄膜成長が実現した。