[7p-PB1-1~8] 6.5 表面物理・真空

[7p-PB1-7] Si酸化基板上のAu薄膜の脱濡れ現象におけるTiシード層の効果

〇神子 公男¹、金 素望²、具 湘謨²、光田 好孝¹、河 在根² (1.東大生研、2.韓国光云大)

キーワード：脱濡れ、自己組織化、金属薄膜

Tiシード層(1 nm)の有無による、Si酸化基板上のAu薄膜(5 nm)の熱処理による脱濡れ過程の違いに着目して研究を行った。試料は室温で蒸着し、その後250〜450℃で5時間熱処理を施した。AFM観察の結果から、Ti層を基板とAu層の間に挿入することにより、Au薄膜の脱濡れ過程が大きく変化し、Au薄膜の脱濡れが促進されることが確認された。