[7p-PB4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7p-PB4-3] シリケイン及びゲルマナンMOSFETのトンネル電流を考慮したバリスティック輸送特性

〇(M2)岡 直左¹、小川 真人¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：シリケイン、ゲルマナン

シリケイン及びゲルマナンは二次元半導体であり、Si及びGeで構成されるため、現在のシリコンテクノロジーとの親和性の良さから注目されている。これらの物質は、単分子層上下のダングリングボンドを水素終端することで結合が維持され、バンドギャップが発生する特徴があり、半導体素子への応用が期待される。これらをチャネル材料としたMOSFETに関して、電極間のリーク電流を考慮したバリスティック輸送特性を報告する。