2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

[8a-A203-1~5] 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

2017年9月8日(金) 09:00 〜 11:45 A203 (203)

下村 哲(愛媛大)

09:30 〜 10:00

[8a-A203-2] 自己形成量子ドットの進展

山口 浩一1 (1.電通大基盤理工)

キーワード:量子ドット、結晶成長、デバイス応用

超高度情報化、超低消費電力化、再生可能エネルギー利用、そして高セキュリティ化に向け、量子ドットを利用した革新的デバイス開発への期待は高い。量子ドットテクノロジーの核ともいえる量子ドットの結晶成長技術の研究開発により、これまでに種々の量子ドットデバイス応用が展開されてきた。本講演では、筆者らの研究成果の紹介も含め、これまでの自己形成量子ドットの進展をまとめ、今後の展開に向けて議論したい。