2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岩谷 素顕(名城大)、赤坂 哲也(NTT)

09:00 〜 09:15

[8a-A301-1] MBEによる(0001)サファイア基板上BN薄膜成長

小林 康之1、木村 拓磨1、中澤 日出樹1、岡本 浩1、廣木 正伸2、熊倉 一英2 (1.弘前大学、2.NTT物性基礎研)

キーワード:窒化ホウ素、分子線エピタキシー

(0001)サファイア基板上に、プラズマ支援MBEによりBN薄膜を成長した。X線反射率プロファイルから、BN薄膜の膜厚は10.6 nmであり、AFM観察から、BN薄膜表面は平坦であることがわかった。FTIR吸収スペクトルは、MBEにより(0001)サファイア基板上にsp2結合を有するBN薄膜が得られたことを示している。