[8a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-A301-9] 窒素極性 InN/GaN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長

〇赤坂 哲也¹、Schied Monika¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化インジウム、有機金属気相エピタキシ、ダブルヘテロ構造

窒素極性InN(000-1)層をGaNバリア層で挟んだInN/GaNダブルヘテロ(DH)構造をMOVPEにより作製した。その際、同構造のGaNキャップ層の成長温度を最適化することで、GaNキャップ層成長中のInN層の熱分解や結晶欠陥の発生を抑えることができ、その結果、急峻な界面や高効率のバンド端PL発光を有するDH構造が得られた。