[8a-A504-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [8a-A504-9] Y添加HfO₂エピタキシャル薄膜における負の電気熱量効果

〇(M2)松尾 翔吾¹、山田 智明¹、三村 和仙²、清水 荘雄²、舟窪 浩²、吉野 正人¹、長崎 正雅¹ (1.名大工、2.東工大物質理工)

キーワード：電気熱量効果、強誘電体薄膜、HfO2

HfO₂基強誘電体を電気熱量(EC)効果に用いることで、半導体デバイスに適用できる可能性がある。Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜は負のEC効果を示し、その理由は薄膜が多結晶で、正方晶常誘電相が混在するためと議論されているが、詳しいメカニズムについては明らかになっていない。そこで、エピタキシャル7%YO_1.5添加HfO₂ を用いてEC効果を評価した結果、この薄膜においても負のEC効果を示した。この理由の可能性として、低温で分極がピンニングされたことがあげられる。