[8a-C16-1~17] 17.2 グラフェン

[8a-C16-1] 六方晶窒化ホウ素上での酸化グラフェンからのグラフェン直接成長

〇小幡 誠司¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、斉木 幸一朗¹ (1.東大新領域、2.物材機構)

キーワード：酸化グラフェン、プラズマ、六方晶窒化ホウ素

六方晶窒化ホウ素(h-BN)上のグラフェンは非常に高い移動度を示すことが知られているが、h-BN表面が不活性であるが故にグラフェンの直接成長は困難であった。今回我々は、酸化グラフェンの高次還元法と呼ばれる手法を用いてグラフェンのh-BN上での直接成長に成功した。作製されたグラフェンはSiO₂のグラフェンに比べるとG bandが低波数側にシフトし、非常に大きなI_2D/I_Gを示した。