[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [8a-C21-8] 水浸ラマン分光法によるAr⁺イオン照射を施した酸化膜被覆型Si ナノワイヤの異方性二軸応力評価

〇横川 凌^1,3、橋本 修一郎²、富田 基裕^1,2,4、渡邉 孝信²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.早稲田大理工、3.学振特別研究員DC、4.学振特別研究員PD)

キーワード：ラマン分光法、Siナノワイヤ