[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

[8a-PA2-10] 立方晶TiNの電気的特性

〇外山 大貴¹、吉川 真弘¹、藤田 利晃²、長友 憲昭²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.三菱マテリアル)

キーワード：TiN、電気抵抗率、結晶粒界

TiNはCMOSトランジスタでの金属原子の拡散を防ぐバリア層、エレクトロマイグレーション対策、Wメタルの剥離を防ぐ密着層の電極として用いられる。そのためTiNの電気伝導性を解明することは重要であると考えられる。そこで、本研究ではホール効果測定を用いてTiNを評価した結果を報告する。