[8a-PA2-1~17] 6.4 薄膜新材料

[8a-PA2-3] 基板バイアス印加スパッタ法を用いた VO₂薄膜の再結晶化に関する研究

〇松岡 耕平¹、アズハン ヌル― ハニス²、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工、2.クアランプール大工)

キーワード：二酸化バナジウム、再結晶化

VO₂は68℃付近で絶縁体-金属相転移を生じ, それに伴って抵抗値が4~5 桁にわたって変化し, 且つ赤外光の透過率が大きく低下する. 反応性スパッタ法において基板バイアスを印加し, Al₂O₃ (001)上にVO₂薄膜を成膜した. その結果, ある特定の基板バイアス電力において再結晶化現象が生じた. 再結晶化した領域は結晶性が非常に優れている. 発表では再結晶化のメカニズムについて検討を行う.