[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-10] Metal-Znバッファー層挿入によるGZO膜のキャリア密度

〇(M1)浅野 祐稀¹、杉浦 怜¹、山田 祐美加¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、透明導電酸化物、スパッタリング