[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-23] Novel Indium Oxide Based Transparent Conductive Oxide Material

〇土田 裕也¹、秋池 良¹、原 浩之¹、倉持 豪人¹ (1.東ソー)

キーワード：透明導電膜、低抵抗、低温度プロセス

工業的に良く用いられているITOでは通常200℃以上でポストアニールを行い、完全に結晶化させることで低抵抗と高透過率を得ることができる。しかしながら、近年のデバイスの進化に伴い、より低いプロセス温度で低抵抗を発現する透明導電膜材料が求められている。今回、我々は150℃以下のプロセス温度で200μΩcmの抵抗率を達成可能な新規の酸化インジウム系透明導電材料の開発に成功した。