[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-24] M₂O₃(M=Al,Ga,In)混晶の結晶構造に関する第一原理計算

〇島田 和宏¹、伊藤 未沙稀¹、金子 卓也¹、小林 伸之介¹ (1.関東学院大理工)

キーワード：第一原理、セスキ酸化物

セスキ酸化物はIII族元素を中心とする四面体、六面体および八面体の結合をすることができるので、様々な対称性をもった結晶構造で結晶化する。 混晶系を電子デバイスの材料と考えると、格子定数や安定した結晶構造など、結晶構造に関する情報がデバイスの設計に必要である。 本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算を行い、様々な対称性を持ったM₂O₃（M = Al、Ga、In）混晶の格子定数や結晶の構造安定性について明らかにする。