[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-26] ミストCVD法によるサファイア基板上のα-Ga₂O₃薄膜成長の条件検討

〇仲林 裕司¹、山田 悟²、井藤 聡³、川江 健³ (1.北陸先端大、2.石川高専、3.金大理工)

キーワード：金属酸化物、ミストCVD、パワー半導体

ワイドバンドギャップを有するGa₂O₃は，MOS型デバイスなどのパワー半導体への応用材料として注目が集まっている．昨今のGa₂O₃薄膜の研究ではミスト化学気相成長法（以下，ミストCVD法）による大気圧下における製膜技術の成長が目覚ましい．
本件では，デバイス利用を目指しGa₂O₃の物性評価を行うことを目的としてミストCVD法を用いたエピタキシャル成長に要する成膜条件の検討を行った．