[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-30] 3ω法によるダイヤモンド及び酸化ガリウム薄膜の熱伝導率評価

〇鈴木 伸一郎¹、大曲 新矢²、梅沢 仁²、杢野 由明²、阿久津 悠介¹、岡本 尚樹¹、齊藤 丈靖¹ (1.阪府大院工、2.産総研)

キーワード：酸化ガリウム、多結晶ダイヤモンド、熱伝導率

Ga₂O₃はバンドギャップがSiCやGaNよりも大きい次世代パワー半導体材料であり、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという大きな利点を有する。しかし、Ga₂O₃の熱伝導率の低さを補うデバイス設計が課題となっている。そこで、物質中最高の熱伝導率を有するダイヤモンド結晶をヒートシンク材料として組み合わせることが有望である。本研究では、3ω法によるダイヤモンドおよびGa₂O₃各基板の熱伝導率を評価した。