[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [8a-PB4-2] P/I界面のSi-H₂結合形成に対する基板温度の効果

〇田中 和真¹、原 尚志¹、小島 尚¹、永石 翔大¹、都甲 将¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九州大学)

キーワード：水素化アモルファスシリコン、太陽電池、プラズマCVD