[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [8a-PB4-6] スパッタエピタキシーによるサファイア基板上へのIn-N rich (ZnO)_x(InN)_1-x膜の作製

〇宮原 奈乃華¹、岩崎 和也¹、石 榴¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九州大学)

キーワード：窒化インジウム亜鉛、スパッタリング

バンドギャップ制御可能な半導体新材料として，筆者らは組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVの広帯域に渡って可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x (ZION)を開発している．本講演では，c面サファイア基板上に作製した単結晶ZnO膜をテンプレートとして用いることで格子不整合基板であるサファイア基板上への(ZnO)_0.73(InN)_0.27膜のエピタキシャル成長に成功した結果を報告する．