[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [8a-S22-8] NO₂ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討

〇(M2)舟木 浩祐¹、石松 裕真¹、桝谷 聡士¹、宮崎 恭輔¹、大島 孝仁¹、嘉数 誠¹、大石 敏之¹ (1.佐大院工)

キーワード：ダイヤモンド、トランジスタ、DCストレス

ダイヤモンドは絶縁破壊電界，熱伝導率，キャリア移動度が優れており，高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待される．前回我々は，NO₂ホールドーピングとAl₂O₃保護膜堆積を適用した構造で，大気中で14.3時間の安定動作を報告した．今回，そのストレス前後の電気的特性を比較して，劣化メカニズムを検討した．その結果，DCストレスの劣化は，ゲート絶縁膜の劣化とチャネルの劣化の両方が関係していることがわかった．