[8p-A201-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[8p-A201-4] VB法で育成したβ-Ga₂O₃単結晶におけるSnドーピングによる抵抗率制御

〇加渡 幹尚¹、大葉 悦子²、小林 拓実²、中村 由夫²、干川 圭吾³ (1.トヨタ自動車、2.不二越機械工業、3.信州大)

キーワード：酸化ガリウム、ブリッジマン、ドーピング

β-Ga₂O₃は、約4.8eVという大きなバンドギャップを持ち、将来のパワーデバイス用半導体材料として近年注目を集めている。我々は、単結晶育成手法として、Pt-Rh系合金坩堝を用いた大気雰囲気中での垂直ブリッジマン法を検討しており、これまで1inch径のバルク単結晶を得ることに成功している。今回、Snドーピングによる抵抗率制御について検討した内容について報告する。