[8p-A203-1~4] 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

[8p-A203-1] 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子

〇北田 貴弘¹、盧 翔孟¹、南 康夫¹、熊谷 直人²、森田 健³ (1.徳島大理工、2.産総研、3.千葉大工)

キーワード：副格子交換エピタキシー、非線形光学、テラヘルツデバイス

ガリウムヒ素系のヘテロ薄膜で構成する結合共振器を使った新しい面発光テラヘルツ素子と、その薄膜作製を容易にする高指数面上の副格子交換エピタキシー技術を紹介する。電流注入による赤外二波長レーザ発振とその差周波発生を同一素子内で行うことでテラヘルツ波を得る素子で、非線形分極構造を制御して薄膜形成することが重要になる。ウエハ接合で制御した素子の発光特性と副格子交換エピタキシーによる制御について述べる。