[8p-A203-1~4] 革新デバイスを支えるIII-V族半導体の成長技術

[8p-A203-3] シリコン基板上InPテンプレート上のエピタキシャル成長とレーザ作製への展開

〇松尾 慎治¹ (1.NTT)

キーワード：InP系化合物半導体

シリコンフォトニクス技術とInP系化合物半導体成長技術の融合は将来の低コスト・大規模光集積回路の作製のキー技術である。本講演ではNTTで行っているシリコン基板上のInPテンプレートを用いたエピタキシャル成長技術の概要について述べる。