[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-1] 高指向性マイクロLEDに向けたGaN六角錐台微小構造の作製

〇熊谷 直人¹、高橋 言緒¹、Cong Guangwei¹、王 学論¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、有機金属気相成長法、選択成長