[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-12] 高Al組成MgドープAlN/AlGaN超格子における高濃度ホール生成

〇江端 一晃¹、西中 淳一¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlGaN、超格子、ホール濃度

高Al組成p型層の高ホール濃度、低抵抗化を目的として、MgドープAlN/Al_0.75Ga_0.25N超格子（平均Al組成80%）を作製し伝導特性を調べた。その結果、その超格子の室温でのホール濃度は4.4×10¹⁸ cm^-3 であった。また、ホール濃度の温度依存性から活性化エネルギーを求めると40-67 meVであった。