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△ [8p-A301-7] Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム
キーワード:Si基板上GaN成長、AlN中間層、応力制御メカニズム
Si基板上のGaN成長において、AlN中間層により降温時の基板反りを緩和する手法が提案されている。本研究ではAlN中間層の成長温度が、表面平坦性・格子緩和度・不純物混入およびGaN層の圧縮応力に与える影響を調べた。高温成長ほど表面平坦性は良好だが、格子緩和度は低減しGa混入も増加した。またGaN層に強い圧縮応力が印加された。すなわち、AlN中間層の表面平坦性がGaN層の圧縮応力に大きく影響する。