2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 13:15 〜 16:30 A301 (メインホール)

中野 貴之(静岡大)、谷川 智之(東北大)

15:00 〜 15:15

[8p-A301-7] Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム

中原 拓也1、鈴木 道洋1、出浦 桃子1、百瀬 健1、杉山 正和1、中野 義昭1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)

キーワード:Si基板上GaN成長、AlN中間層、応力制御メカニズム

Si基板上のGaN成長において、AlN中間層により降温時の基板反りを緩和する手法が提案されている。本研究ではAlN中間層の成長温度が、表面平坦性・格子緩和度・不純物混入およびGaN層の圧縮応力に与える影響を調べた。高温成長ほど表面平坦性は良好だが、格子緩和度は低減しGa混入も増加した。またGaN層に強い圧縮応力が印加された。すなわち、AlN中間層の表面平坦性がGaN層の圧縮応力に大きく影響する。