[8p-C19-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[8p-C19-5] Ge量子ドット積層における中間層の歪補償効果に関する検討

〇(M1)有田 誠¹、伊藤 友樹^1,2、川島 知之¹、鷲尾 勝由¹ (1.東北大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：ゲルマニウム、量子ドット、歪補償

C媒介によるSi(100)上のc(4×4)表面再構成(SR)を利用したGe量子ドット(QD)の自己組織的形成を検討してきた[1, 2]。Ge QDの光学応用にはQDの積層化が必要であるが、積層数の増加に伴いQDに歪が蓄積し、QDが肥大化する課題がある。本報告では、QD積層に用いる中間層による歪補償効果の違いを調べた。