[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-1] 導電性酸化亜鉛上へのVO₂薄膜の低温成長と転移特性評価

〇佐藤 賢太¹、星野 寛明¹、青戸 智寛¹、モハメッド シュルズ ミヤ¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：二酸化バナジウム、酸化亜鉛

二酸化バナジウムVO₂は68℃付近で急峻な抵抗値変化を示し、光刺激や電圧印加でこの特性を示すことから非冷却型の赤外線センサーや次世代向けスイッチング素子として期待できる物質である。今回は誘導結合プラズマ(ICP)支援および基板バイアス法を用いてVO₂薄膜を低温成長させた。それぞれの手法による結晶性の変化および転移特性の違いについて発表を行う。