[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-13] 分子膜ギャップ型原子スイッチの動作メカニズム解明

〇(B)有馬 知里¹、荒木 聖人¹、鶴岡 徹²、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ