[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-1] 3次元アトムプローブ（3DAP）とSTEMの複合解析における原子レベル元素分析手法の検討

〇太期 由貴子¹、田中 洋毅²、関 春海²、高石 理一郎²、志摩 会実佳¹、間山 憲仁¹、佐々木 智一¹、福嶌 豊¹ (1.東芝ナノアナリシス、2.（株）東芝)

キーワード：アトムプローブ、STEM、半導体

3DAPは他手法で困難なSi中の1at.%以下のB、Cなど軽元素を含めた多種類の元素情報と3次元的分布を原子レベルで解析できるが、異種材料を含む試料は電界蒸発の差で3次元像再構築精度が劣化することが実用上の課題である。本検討では、同一試料のSTEM観察と3DAP分析を一貫して行うことに成功し、双方のデメリットを補完した原子レベルの正確な元素分布分析のデータ処理についても検討した。