The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[8p-PA2-1~19] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Fri. Sep 8, 2017 1:30 PM - 3:30 PM PA2 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[8p-PA2-1] Development of Atomic Resolution Atom Probe-STEM Correlative Technique

Yukiko Daigo1, Hiroki Tanaka2, Harumi Seki2, Riichiro Takaishi2, Amika Shima1, Norihito Mayama1, Tomokazu Sasaki1, Yutaka Fukushima1 (1.Toshiba Nanoanalysis Corp., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:atom Probe, scanning transmission electron microscope, semiconductor

3DAPは他手法で困難なSi中の1at.%以下のB、Cなど軽元素を含めた多種類の元素情報と3次元的分布を原子レベルで解析できるが、異種材料を含む試料は電界蒸発の差で3次元像再構築精度が劣化することが実用上の課題である。本検討では、同一試料のSTEM観察と3DAP分析を一貫して行うことに成功し、双方のデメリットを補完した原子レベルの正確な元素分布分析のデータ処理についても検討した。