[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-3] CF₄ / O₂混合ガスプラズマを用いたCaF₂単結晶およびCaF₂ / Siヘテロ構造の反応性イオンエッチング

〇熊谷 佳郎¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：CaF2、反応性イオンエッチング、ヘテロデバイス