[8p-PA2-1~19] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[8p-PA2-8] CNM fabrication on Co/Al₂O₃/SiO₂-substrate for LSI interconnect using supercritical ethanol

〇(B)Yuki Matsumae¹, Yoshio Uhara¹, Masatoshi Ito¹, Sigeru Saito¹ (1.TUS)

Keywords:supercritical ethanol, LSI interconnect, CNM fabrication

近年のLSI集積化は、配線幅の微細化に伴い、電流密度の増加からエレクトロ・マイレーション等の問題を発生させる。そこで主流である銅配線より低い抵抗率、高熱伝導率、高電流密度耐性を有するカーボンナノ材料配線が期待されている。縦方向配線のビアホールにカーボンナノチューブの使用を考えた研究が進められており、Co、Fe等の触媒を用いたCVD法で作製されている。