[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-1] SiドープAlGaNにおける抵抗率の温度特性

〇萩原 碩¹、椿 康平¹、鶴谷 直樹¹、外山 大貴¹、吉川 真弘¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化物半導体、SiドープAlGaN、温度特性

Ⅲ族窒化物半導体は、LEDやトランジスタなどの様々なデバイス応用に向けた研究が盛んに行われている。本研究では、抵抗率の温度変化を用いた温度計（サーミスタ）へⅢ族窒化物半導体を応用することを目的とする。Ⅲ族窒化物半導体を応用できれば、極めて小型なサーミスタの実現に期待できる。そのために、RF-MBE法を用いてSiドープAlGaNを成長し、抵抗率の温度特性におけるAl組成依存性とSi不純物濃度依存性をそれぞれ評価した。