[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-10] Si基板上n型GaN層における移動度とキャリア濃度依存性

〇浜田 武明¹、間瀬 駿¹、江川 孝志¹ (1.名工大院)

キーワード：GaN、MOCVD、移動度

本研究はSi基板上GaN層における移動度とキャリア濃度の関係性について調査を行ったものである。横型MOCVD装置を用いてSi基板上とサファイア基板上にキャリア濃度の異なるGaN層を成長させた。Hall効果測定より、キャリア濃度と移動度のグラフは釣り鐘型となり、両者を比べた時Si基板が低キャリア濃度で移動度が低い値を示した。CL測定より、サファイア基板の方が転位が少ないことが分かった。当日は、これらについて行った検討を報告する。