2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (国際センター2F)

13:30 〜 15:30

[8p-PB1-5] GaN層の表面状態に関する検討(Ⅱ)

水野 愛1、鈴木 礼央1、吉村 翼1、渡邉 渉1、安藤 毅1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

キーワード:GaN層、X線光電子分光法、昇温脱離ガス分析法

前回の報告では,昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry:TDS)を用いてGaN層の表面状態について検討し,約500℃で脱離するGa成分とO成分が存在する事を述べた.今回はX線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy:XPS)を用いて,GaN層表面におけるO原子等の結合状態について調べたので報告する.