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[8p-PB1-5] GaN層の表面状態に関する検討(Ⅱ)
キーワード:GaN層、X線光電子分光法、昇温脱離ガス分析法
前回の報告では,昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry:TDS)を用いてGaN層の表面状態について検討し,約500℃で脱離するGa成分とO成分が存在する事を述べた.今回はX線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy:XPS)を用いて,GaN層表面におけるO原子等の結合状態について調べたので報告する.