14:15 〜 14:30 [16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上 〇岩田 真次郎1、木瀬 信和1、青沼 遼介1、宮本 恭幸1 (1.東工大院理工)