堀田育志

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発表者・著者、共著者

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 413 (413)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

11:15 〜 11:30

[16a-413-9] High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

〇堀田育志¹、佐伯郁弥¹、西慎太郎¹、伊藤明²、中西英俊²、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、斗内政吉³、川山巌³ (1.兵県大工、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)