10:00 〜 10:15 △ [15a-F201-5] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5)-X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析- 〇門野 武1、奥山 亮輔1、柾田 亜由美1、廣瀬 諒1、重松 理史1、古賀 祥泰1、奥田 秀彦1、栗田 一成1 (1.SUMCO)