13:30 〜 15:30 [17p-P3-6] 4H-SiC上ポーラスエピタキシャルグラフェン基板を用いたRF-MBE InN初期核形成 〇石丸 大樹1、寺井 汰至2、橋本 明弘1 (1.福井院工、2.福井工)