15:00 〜 15:15 [16p-B6-7] SiCテラス上のquasi-free-standingグラフェンの成長 Vinel Vincent1、〇関根 佳明1、日比野 浩樹1,2、熊倉 一英1 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)