13:30 〜 15:30 [17p-P2-3] 表面窒化法によるGaPN混晶の成長における窒素取り込み機構の検討 〇橘高 昂志1、山根 啓輔1、Boualiong Kerlee1、関口 寛人1、岡田 浩2,1、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大 EIIRIS)