13:15 〜 13:30 [14p-315-1] 三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTのエッチング溝間隔が電気的特性に与える影響 〇鈴木 敦也1、Joel Asubar1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)