14:15 〜 14:30 [17p-301-2] 4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化 黒山 滉平1、平井 悠久1、山本 建策2、林 真理子2、細川 徳一2、〇喜多 浩之1 (1.東大院工、2.(株)デンソー)