一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
國分 利紀1、Bramantyo Albertus2、奥谷 昌之3、〇村上 健司3 (1.静岡大学工、2.静岡大学創造院、3.静岡大学総合院)
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09:15 〜 09:30
Attanayake Sameera1、Bandara Ajith1、奥谷 昌之2、〇村上 健司2 (1.静岡大創造院、2.静岡大総合院)
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09:30 〜 09:45
〇高橋 直人1、張 捷生1、齊藤 正1、佐藤 伸吾1、大村 泰久1 (1.関西大学院)
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09:45 〜 10:00
〇大山 翔平1、渡邉 匡人1、肥山 卓矢2、横川 凌2、小椋 厚志2 (1.学習院大理、2.明大理工)
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10:00 〜 10:15
〇税所 健1、前田 大輝1、揚野 哲也1、野見山 輝明1、堀江 雄二1、小ヶ口 晃2 (1.鹿児島大院、2.タカタ株式会社 技術本部)
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10:15 〜 10:30
〇渡辺 恭輔1、山崎 丞路1、宮田 俊弘1、南 内嗣1 (1.金沢工大 OEDS R&D センター)
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10:30 〜 10:45
〇Jayathilaka KMD Charith1,2、Kumara L.S.R.3、Song C.H.3、Kohara Shinji3、Sakata Osami3、Siripala Withana1、Jayanetti J. K. D. S.2 (1.Univ. of Kelaniya、2.Univ. of Colombo、3.NIMS/SPring-8)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)梶 知史1、大図 修平1、北畠 有紀子2、豊田 太郎1,4、尾込 裕平3,4、早瀬 修二3,4、沈 青1,4 (1.電通大先進理工、2.中央大理工、3.九工大生命体工、4.JST CREST)
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11:00 〜 11:15
〇佐藤 夏子1、井口 歩武1、竹澤 宏紀1、荒井 悠里1、下迫 直樹1、坂間 弘1、江馬 一弘1、欅田 英之1 (1.上智大理工)
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11:15 〜 11:30
〇太田 貴洋1、野田 啓1 (1.慶應大理工)
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